IE3D SIフルウェーブ3D EM(電磁界)シミュレーション
フルウェーブ3D EM設計/検証
現在の高周波IC、MMIC、パッケージ、PCBの設計では、EM(電磁界)精度の高いフルウェーブ回路モデルを組み合わせて、性能要件が満たされた最終的なフィジカル・インプリメンテーションを構築する必要があります。IE3D SIのフルウェーブ3D EM設計/検証ソリューションは、パッケージ全体、PCB、または回路レベルのシミュレーションやとモデリングで、キャパシティとランタイム性能に関するニーズを満たします。設計エンジニアやシグナル・インテグリティ(SI)エンジニアは、EM精度の高い結果に基づいて、大規模な設計でも確実に設計および検証できます。
特長
- 自動3Dジオメトリ・モデル作成では、ボンディング・ワイヤ、ソルダー・ボール/バンプ、インターコネクト、誘電体の厚さをフルサポートしています。独自の不均一メッシュ生成と適応力のあるカーブ・フィッティングにより、ブロードバンド製品で迅速かつ正確なシミュレーション結果を得られます。
- シミュレーション結果でも実測結果と同等の信頼性が得られるので、費用のかかる設計を繰り返す必要がなく、EM設計コストを削減できます。
- 時間当たりのシミュレーション数の増加により、短時間でより多くの設計問題を検証することができ、設計収束の早期化と全体的な設計品質の向上が実現します。
- 大規模な構成でも最小限のメモリ・フットプリントでシミュレーション可能なため、時間がかかりエラーの生じやすい設計分割は必要ありません。ジオメトリの正確なモデリングによってEM設計のリスクを低減できます。

