Calibre OPCverify
現在のlow k1リソグラフィ化によって、ナノメータ設計におけるRET(Resolution Enhancement Technology)の複雑化が進んでいます。この結果、マスク・ルール制約、フラグメント分割、タイルおよび階層境界、モデルおよび測長値のエラーその他により引き起こされるシリコンの欠陥率上昇を招いています。これらのエラーを低減するには、マスク製造前に欠陥を検出するポストOPCの検証ステップが必要となります。
特長と利点
- 液浸リソグラフィを含む先端プロセス条件に対応した正確なウエハ・コンター像シミュレーション
- OPCレシピ検証、マスク・サインオフ、リソグラフィ・フレンドリな設計など幅広いOPC利用モデルをサポート
- CDエラー、スペーシング・エラー、ブリッジングやピンチングのチェック、2層間の重なりチェックなどの定義されたコマンドを使用し簡単に検証可能でかつカスタマイズ可能なスクリプト
- 簡単にカスタマイズを行い、ユーザの既存フローに統合可能
- Calibreの単一階層処理エンジンで動作し、あらゆるリソグラフィ・シミュレーションに対応
- 高いスケーラビリティにより、マスク処理に必要なTATを確保
- 主要プラットフォーム上で動作し、専用ハードウェアが不要
製品
- Calibre nmOPC 先進のIC製造プロセスに対応した高性能高精度OPCツール
データシート
- Calibre OPCverify (PDF, 440KB)
ツールボックス
- 技術文献 : Pixel-based SRAF Implementation for 32nm Lithography Process
- 技術文献 : Automatic Assist Feature Placement Optimization Based on Process-Variability Reduction
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