2009年03月02日

メンター・グラフィックス・コーポレーション（本社: 米国オレゴン州、以下メンター・グラフィックス）は、株式会社 半導体先端テクノロジーズ（以下Selete）が、メモリおよびロジックIC向け極端紫外線リソグラフィ（Extreme UV Lithography、以下EUV）研究プログラムにおいて、フレアのシミュレーションと補正技術の研究にCalibre® nm Platformを選択したことを発表しました。

「徹底した実験を行った結果、Calibreプラットフォームのフレ ア・モデリング機能がEUVの強いフレア効果を正確にモデル化し、補正できることを確認しました。この精度レベルに加えてCalibreプラットフォーム は高いパフォーマンスおよび信頼性を備えており、当社のEUV研究プログラムであるプロセスTEGを使ったフルチップレベルの評価において最適な選択肢と なります。」Seleteの第三研究部取締役部長の森 一朗氏はこのように述べています。

22nmテクノロジ・ノード以 降での集積回路製造において、EUVリソグラフィは有力な候補の一つです。EUV露光装置は、波長13.5nmの光源を使うことでフィーチャー・サイズの 描画を可能にしています。しかし、EUV露光システムはフレアと呼ばれる高いレベルの散乱光が問題となります。EUV露光システムで発生が予測されるレベ ルのフレアは、描画されたフィーチャーに許容できないレベルの大きな変形を引き起こし、適切に補正を行わなければ回路性能の劣化につながります。

"Density Convolve"機能を備えたCalibreの階層ポリゴン処理エンジンは、フラクタル・カーネル･コンボリューション・モデルを使用してチップ内のあ らゆるポイントで散乱光のレベルをシミュレーションし、描画イメージに対する散乱光の効果を補正します。Seleteの研究者チームとメンター・グラ フィックスは、Calibreによるフレア補正フローの精度とパフォーマンスをSeleteにて検証しました。

「SeleteのEUVマスク開発において、EDAベンダ・パートナーとしてメンター・グラフィックスが選択されたことをまことに嬉しく思います。メン ター･グラフィックスはSeleteと非常に強力なパートナー関係にあり、これまでもCalibre nm Platformを使用して大きな実績を上げています。今後も引き続き新しいテクノロジ・ノードで求められる厳しい要求を満たす研究を共同で行いたいと考 えています。」メンター・グラフィックスのDesign-to-Silicon Division、Vice President and General ManagerであるJoseph Sawickiはこのように述べています。

メンター･グラフィックスについて
メンター・グラフィックスは、EDA（Electronic Design Automation）のテクノロジ・リーダーとして、高性能な電子機器を短期間でよりコスト効率よく開発するためのハードウェアおよびソフトウェアのソ リューションを提供しています。ますます複雑化する基板およびチップ設計の世界でエンジニアが直面する様々な設計上の課題を克服するための革新的な製品お よびソリューションを提供します。メンター・グラフィックスは業界で最も幅広いクラス最高の製品ポートフォリオを有し、EDAベンダとして唯一組込みソフ トウェア・ソリューションを持っている企業です。メンター・グラフィックスについての詳しい情報はhttp://www.mentorg.co.jpをご覧ください。

Mentor GraphicsはMentor Graphics Corporationの登録商標です。その他記載されている製品名および会社名は各社の商標または登録商標です。

ICナノメータ設計について

• http://www.mentorg.co.jp/products/ic_nanometer_design/index.html

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