193nmリソグラフィは65nmテクノロジにおいてパターン転写手法の主流となる可能性が高い。これはk1定数が0.3レンジのリソグラフィを意味し、従って強力なRET（resolution enhancement techniques）が必要とされる。最近まで、alternating Phase Shift Masks（alt.PSM）が唯一の有効なオプションと考えられてきた。厳しいレイアウト制約、複雑なマスク製造、二重露光の必要性によるスループット低下等により、このオプションはかなりコストのかかる方法であった。微細なフィーチャー・サイズに対しても優れた解像度を提供する代替案として、クロムマスクの二重露光、つまりDDLを使ったハーフトーン（エンベデッド）PSMマスクや、クロムレスPSM（CPL）を検討する。どちらの技法も、離れたラインあるいは最小幅の約2倍のライン（CPLの場合）に対するパフォーマンス低下を補完するために解像度よりも微細なフィーチャーを必要とする。このような高度にノンリニアなパターン転写プロセスをリニアライズするためには、どちらの場合もモデルベースのOPC（Optical Proximity effect Correction）が必須である。

現在のICの製造に使用されている個々のファイルのデータ量は膨大で、既存のデータ・フォーマット仕様では対応できなくなってきている。このため、関連フォーマットの数を削減することによりデータフローを簡略化する必要がある。SEMIにより策定された新しいストリーム・フォーマットであるOASISはこの役割を果たすにふさわしい機能を備えている。この論文では、マスクデータ準備フローにおける共通中間フォーマットとしてのOASISのコンセプトを説明し、テスト結果を使ってその利点を明らかにする。そして、OASISをベースにした共通のマスク描画フォーマットのコンセプトについて提案する。また、各種マスク・ライティング装置の描画性能がフォーマットに依存することについても考慮し、様々な実装シナリオについて検討する。