2007年07月05日

メンター・グラフィックス・コーポレーション（本社米国オレゴン州、以下メンター・グラフィックス）は、Calibre LFD（Litho-Friendly Design）の有効性が65nmプロセス・テクノロジを使ったシリコンで実証されたことを発表しました。

Infineon TechnologiesとChartered Semiconductor Manufacturingが共同発表した論文において、メンター・グラフィックスのCalibre LFDを用いたリソグラフィ・プロセス検証フローの実装により優れた成果が得られたことが紹介されました。Calibre LFDは、DRC（design rule check）クリーンなセルベース設計に対して実際のリソグラフィ・プロセスのばらつきによる影響をシミュレートし、その製造可能性を解析します。設計工 程の早い段階で用いることにより、欠陥の発生につながるリソグラフィ上の「ホットスポット」を特定することができます。高い精度を実現するCalibre LFDのプロダクション・プロセス・モデルにより、確実な修正が可能となります。Charteredはメンター・グラフィックスと共同で、2006年3月 よりLFD製造キットを提供しています。

この論文"Hardware Verification of Litho-Friendly Design (LFD) Methodologies [6521-20] （LFD手法のハードウェアによる検証）"は、2007年2月に開催されたSPIE Advanced Lithography Symposiumにて発表されました。これはInfineonとCharteredの共同執筆（Infineon Technologies AGのReinhard März、Kai Peter、Sonja Gröndahl、Klaus Keiner、ならびにCharteredのByoung Il Choi、Shyue Fong Quek、Mei Chun Yeo、Nan Shu Chen、Soo Muay Goh）によるものです。

この論文の結論は、65nm以下のジオメトリに移行する際、従来のルールベースの設計に加えてLFDモデルベースの物理検証を実装することの効果を証明す る為に実施された一連の実験結果に基づいています。実験は、最小幅（ピンチング）、最小間隔（ブリッジング）、最小重なり面積、プロセスばらつき指数に対 するリソグラフィ・チェックを含むものでした。ドーズ及びフォーカス・パラメータを狙い通りに変化させて製造した実際のテスト・ウエハに対する物理計測値 はLFDシミュレーションと緊密な相関性を示しました。この実験には、Infineonのスタンダードセル・ライブラリを用い、Charteredの Fab 7で製造したウエハを使用しました。

「モデルベースのリソグラフィ・シミュレーションの価値を、シミュレーション結果と65nmプロセスで製造された実際のテストチップの計測結果と比較する ことによって実証することは、非常に重要でした。」CharteredのDirector of Platform Alliances、Walter Ng氏はこのように語りました。「Infineonのスタンダードセル・ライブラリを用いて行った今回の実験で、Charteredの65nmプロセスに 対応した高精度なLFDフローを適用することによりお客様に大きなメリットを提供できるということが実証されました。」

SPIEにて発表されたこの論文では、65nm以下のプロセスで歩留まりに影響を与えるホットスポットを回避するには、DRCを満足するというだけでは不 十分であると結論づけています。また殆どのホットスポットは、ごく一部のセルが原因となっていることも明らかになりました。このことは、エラー重大度と歩 留まり影響度を基準にランク付けされた、レイアウト上の比較的少数のホットスポットに対して変更を加えることにより、大きな歩留まり改善が可能であること を示唆しています。

「今回、InfineonとCharteredがLFD手法の有効性実証に大きな成果を上げてくれたことを非常に嬉しく思っています。」メンター・グラ フィックスのDesign-to-Silicon Division、Vice President and General ManagerのJoe Sawickiはこのように述べています。「この研究の成果は、現在各種DFMソリューションの効果を評価し、LFDベースの検証フロー適用に取り組んで いる他の企業にとっても、非常に興味深いものであると確信しています。」

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●	IC&アナログ設計検証について
		http://www.mentorg.co.jp/solution/ic-nanometer/

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