概要:

これまでθjc測定を行う場合は、パッケージのケース表面に熱電対を使って、温度測定していました。しかし、熱電対自身から熱が逃げってしまったり、また熱電対とパッケージケース間の接触熱抵抗が見えてしまったり、精度上げることが非常に難しいものでした。これに対して、T3Sterと構造関数を使った測定では、これらの問題を解決し安定した測定を行うことができます。また高精度のθjc測定により、熱の観点からパワー・デイバスのSoA(安全動作領域)の確認もできます。

概要:

高制御化・小型化により、プリント基板全体の発熱量の増加や局所的な駆動素子温度の上昇が課題となっています。
その駆動素子である、ICやFETはジャンクション温度を保証温度範囲内で設計する必要がありますが、以前はこの温度を直接測定出来ないため、設計マージンを多目に取るやり方で対応していました。
T3Sterを利用することで、熱抵抗・ジャンクション温度が見積り可能になります。今回は測定条件の影響、 簡単かつ精度の良いシミュレーションモデルの作成方法、応用測定事例等を紹介します。

概要:

回路基板上に搭載される電子部品の接合温度は、基板の放熱能力に大きく左右されます。
ジャンクション－ケース間の熱抵抗値が正確でないと過剰な熱対策が必要となり、コスト削減や基板小型化と同時に放熱能力の向上を図ることが非常に困難です。
今回明電舎からの依頼で評価基板の構造関数をT3Sterで測定し、基板放熱特性と物理構造との関係を高精度に評価することができました。
T3Sterを使って、基板放熱能力をさらに高めることが可能となります。

概要:

省エネ機器や電気自動車などの電力変換機器で使用されるパワーモジュールは、大電流／高電圧のモジュールを使用する場合が多く、使用する場合には熱的品質力および熱設計技術力が求められます。上流の設計・開発段階で積極的な信頼性の作り込みを行うためには、様々な角度から熱的検証を行うための実測技術が必要不可欠であり、そのための有効なツールとしてT3Sterを使用しています。今回はパワーモジュールに関する熱構造評価や応用評価の事例についてご紹介します。

概要:

電子部品や実装基板の熱抵抗の測定にT3Sterを利用しています。そして、熱解析モデルを作成しており、その中からいくつかの例を紹介します。
また、電子部品に関する熱測定装置の開発を行っており、T3Sterの活用事例を紹介します。

概要:

・ Standards and methods for testing high power BJT-s, MOSFET-s and IGBT-s
・ Measurement of advanced devices (HEMT, MESFET, CMOS IC, etc.)
・ The new high current (200A/7V) booster family for the reliability testing and high power thermal characterization of power devices, critical in automotive/aerospace and defense environments
・ In situ thermal interface material testing
・ New designs for thermal and radiometric/photometric measurement of solitary high power LEDs, complete LED chains and single LEDs in a powered chain

概要:

電子製品には発熱密度増加やパッケージ小型化などに伴い、熱設計のマージンが減りつつあります。従来の一次元的な熱流路モデルの考え方は実際の三次元熱分布との差が大きすぎ、精密な熱解析を行うことが困難です。T3Ster実測データとFloTHERMの詳細モデルの合わせ込みで、三次元熱分布を考慮した実物と完璧に一致するシミュレーションを行い、超高精度の熱解析を実現しました。